SiC Heizung

CD Automation Thyristor Units

von CasCade Automation Systems B.V.

SiC Heizung

Silicium Carbide is een halfgeleidend materiaal, en heeft een veel hogere weerstand dan metaalachtige weerstandsmaterialen. De weerstand bij kamertemperatuur is redelijk hoog, en deze zakt met het toenemen van de temperatuur tot een minimum waarde van ongeveer 600 tot 900 graden Celsius. Bij elementen boven de 900 graden stijgt de weerstand gezamenlijk met de temperatuur, zoals te zien is in de volgende afbeelding.

Alle silicium carbide elementen krijgen iets meer weerstand gedurende de tijd dat ze gebruikt worden en de snelheid waarmee dit gebeurt is afhankelijk van de volgende factoren:

​

  • Element specifieke last

  • Gebruikstemperatuur

  • Proces atmosfeer

  • Operatiemodus (continu of onderbroken)

  • Voedingstype

  • Type element

​

Om de levensduur van het element te optimaliseren moet er voor het juiste element worden gekozen met de laagste specifieke last, passend bij het type oven dat gebruikt gaat worden. Om te compenseren voor het almaar verhogen van de weerstand gedurende het leven van de elementen, wordt vaak een variabele voedingsunit gebruikt. Zo wordt er gezorgd dat de levensduur van het element zo lang mogelijk duurt.

Anwendungen